材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2010年
14期
1-4
,共4页
6H-SiC%同质外延%气-液-固生长机理
6H-SiC%同質外延%氣-液-固生長機理
6H-SiC%동질외연%기-액-고생장궤리
碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力.以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜.结果表明,VLS机制能在外延薄膜的表面有效地封闭微管,但是由于n(C)/n(Si)较大,薄膜表面存在大量的台阶.为了进一步改善薄膜表面形貌,采用"两步法"工艺外延SiC薄膜,在封闭微管的同时提高了表面平整度,得到了质量较好的6H-SiC外延薄膜.
碳化硅(SiC)是第三代寬禁帶半導體材料,在高溫、高頻、高功率、光電子及抗輻射等方麵具有巨大的應用潛力.以CH4、SiH4為反應氣體,H2為載氣,採用化學氣相沉積法,利用氣-液-固(VLS)生長機理,同質外延6H-SiC薄膜.結果錶明,VLS機製能在外延薄膜的錶麵有效地封閉微管,但是由于n(C)/n(Si)較大,薄膜錶麵存在大量的檯階.為瞭進一步改善薄膜錶麵形貌,採用"兩步法"工藝外延SiC薄膜,在封閉微管的同時提高瞭錶麵平整度,得到瞭質量較好的6H-SiC外延薄膜.
탄화규(SiC)시제삼대관금대반도체재료,재고온、고빈、고공솔、광전자급항복사등방면구유거대적응용잠력.이CH4、SiH4위반응기체,H2위재기,채용화학기상침적법,이용기-액-고(VLS)생장궤리,동질외연6H-SiC박막.결과표명,VLS궤제능재외연박막적표면유효지봉폐미관,단시유우n(C)/n(Si)교대,박막표면존재대량적태계.위료진일보개선박막표면형모,채용"량보법"공예외연SiC박막,재봉폐미관적동시제고료표면평정도,득도료질량교호적6H-SiC외연박막.
