电子科技
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전자과기
IT AGE
2009年
5期
55-58
,共4页
GaN%光电性质%第一性原理
GaN%光電性質%第一性原理
GaN%광전성질%제일성원리
利用平面渡赝势密度泛函的方法,结合广义梯度近似,对纤锌矿GaN的光电性质进行了研究.对纤锌矿GaN的能带结构、态密度分布、复介电函数和吸收光谱进行了计算.文中分析了纤锌矿结构GaN晶体可能的跃迁及其对应的吸收光谱.结果显示GaN晶体的光学性质与晶体的电子结构直接相关.计算结果为进一步理解和改进纤锌矿GaN的光电性质提供理论基础.
利用平麵渡贗勢密度汎函的方法,結閤廣義梯度近似,對纖鋅礦GaN的光電性質進行瞭研究.對纖鋅礦GaN的能帶結構、態密度分佈、複介電函數和吸收光譜進行瞭計算.文中分析瞭纖鋅礦結構GaN晶體可能的躍遷及其對應的吸收光譜.結果顯示GaN晶體的光學性質與晶體的電子結構直接相關.計算結果為進一步理解和改進纖鋅礦GaN的光電性質提供理論基礎.
이용평면도안세밀도범함적방법,결합엄의제도근사,대섬자광GaN적광전성질진행료연구.대섬자광GaN적능대결구、태밀도분포、복개전함수화흡수광보진행료계산.문중분석료섬자광결구GaN정체가능적약천급기대응적흡수광보.결과현시GaN정체적광학성질여정체적전자결구직접상관.계산결과위진일보리해화개진섬자광GaN적광전성질제공이론기출.
