微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
12期
734-737
,共4页
InSb-In共晶体薄膜%磁敏电阻%温度特性%温控器%灵敏度
InSb-In共晶體薄膜%磁敏電阻%溫度特性%溫控器%靈敏度
InSb-In공정체박막%자민전조%온도특성%온공기%령민도
研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成.实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30 mV/℃,常温下也可达到23 mV/℃左右.同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关.
研究瞭InSb-In共晶體薄膜磁敏電阻(MR)的溫度特性,併把這種磁敏電阻應用到溫度控製領域,設計瞭一種基于InSb-In磁敏電阻的溫度控製器,由InSb-In磁敏電阻溫度採集電路、信號處理電路和控製執行電路三部分組成.實驗結果錶明,InSb-In磁敏電阻材料同其他溫敏元件材料一樣,具有很好的溫度特性,其溫度特性與熱敏電阻NTC極為相近;用InSb-In磁敏電阻材料製作的溫控器具有靈敏度高、控溫範圍寬的優點,在低溫區其靈敏度可以高于30 mV/℃,常溫下也可達到23 mV/℃左右.同時它還具有穩定性彊、可靠性好、受環境因素影響小、結構簡單緊湊、價格低廉、對材料要求低等諸多優點,是一種值得推廣應用的新型材料溫度開關.
연구료InSb-In공정체박막자민전조(MR)적온도특성,병파저충자민전조응용도온도공제영역,설계료일충기우InSb-In자민전조적온도공제기,유InSb-In자민전조온도채집전로、신호처리전로화공제집행전로삼부분조성.실험결과표명,InSb-In자민전조재료동기타온민원건재료일양,구유흔호적온도특성,기온도특성여열민전조NTC겁위상근;용InSb-In자민전조재료제작적온공기구유령민도고、공온범위관적우점,재저온구기령민도가이고우30 mV/℃,상온하야가체도23 mV/℃좌우.동시타환구유은정성강、가고성호、수배경인소영향소、결구간단긴주、개격저렴、대재료요구저등제다우점,시일충치득추엄응용적신형재료온도개관.
