昆明理工大学学报（理工版）
昆明理工大學學報（理工版）
곤명리공대학학보（리공판）
JOURNAL OF KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY（SCIENCE AND TECHNOLOGY）
2008年
6期
22-26
,共5页
芯片冷却%微槽道冷却热沉%有限元方法
芯片冷卻%微槽道冷卻熱沉%有限元方法
심편냉각%미조도냉각열침%유한원방법
对高热流密度芯片的冷却要求进行了分析,采用有限元方法对微槽道冷却热沉的传热性能进行了数值模拟.模拟结果表明,当芯片热流密度为1.28 X 106w/m2时,在给定边界条件下,芯片的最高温度为369.936K,因此微槽道冷却热沉完全可以满足高热流芯片对温度的要求.
對高熱流密度芯片的冷卻要求進行瞭分析,採用有限元方法對微槽道冷卻熱沉的傳熱性能進行瞭數值模擬.模擬結果錶明,噹芯片熱流密度為1.28 X 106w/m2時,在給定邊界條件下,芯片的最高溫度為369.936K,因此微槽道冷卻熱沉完全可以滿足高熱流芯片對溫度的要求.
대고열류밀도심편적냉각요구진행료분석,채용유한원방법대미조도냉각열침적전열성능진행료수치모의.모의결과표명,당심편열류밀도위1.28 X 106w/m2시,재급정변계조건하,심편적최고온도위369.936K,인차미조도냉각열침완전가이만족고열류심편대온도적요구.
