材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2008年
Z2期
232-236
,共5页
吸附能%计算模拟%晶格失配
吸附能%計算模擬%晶格失配
흡부능%계산모의%정격실배
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统地对Aun(n≤8)吸附在MgO(001)表面的结构进行了详细的研究.分别给出了气相的Aun(n≤13)和吸附在MgO表面的Aun(n≤8)团簇的最稳定结构,比较了这两种情况下,Aun在结构、平均键长和磁矩方面的区别.结果表明,气相的Aun,在n≤13时团簇均为平面结构,而Aun吸附在MgO(001)表面上之后,从AU7就开始出现从平面结构向立体结构转变.吸附在MgO(001)表面上的Aun团簇在较小尺寸就发生二维到三维结构转变的原因可能是An键长与MgO(001)表面的晶格失配造成的.吸附在MgO(001)表面的团簇因受到表面极化而使得团簇上电荷分布发生变化,但是表面衬底和团簇之间的电荷转移量很小.
採用基于密度汎函理論的第一性原理計算方法繫統地對Aun(n≤8)吸附在MgO(001)錶麵的結構進行瞭詳細的研究.分彆給齣瞭氣相的Aun(n≤13)和吸附在MgO錶麵的Aun(n≤8)糰簇的最穩定結構,比較瞭這兩種情況下,Aun在結構、平均鍵長和磁矩方麵的區彆.結果錶明,氣相的Aun,在n≤13時糰簇均為平麵結構,而Aun吸附在MgO(001)錶麵上之後,從AU7就開始齣現從平麵結構嚮立體結構轉變.吸附在MgO(001)錶麵上的Aun糰簇在較小呎吋就髮生二維到三維結構轉變的原因可能是An鍵長與MgO(001)錶麵的晶格失配造成的.吸附在MgO(001)錶麵的糰簇因受到錶麵極化而使得糰簇上電荷分佈髮生變化,但是錶麵襯底和糰簇之間的電荷轉移量很小.
채용기우밀도범함이론적제일성원리계산방법계통지대Aun(n≤8)흡부재MgO(001)표면적결구진행료상세적연구.분별급출료기상적Aun(n≤13)화흡부재MgO표면적Aun(n≤8)단족적최은정결구,비교료저량충정황하,Aun재결구、평균건장화자구방면적구별.결과표명,기상적Aun,재n≤13시단족균위평면결구,이Aun흡부재MgO(001)표면상지후,종AU7취개시출현종평면결구향입체결구전변.흡부재MgO(001)표면상적Aun단족재교소척촌취발생이유도삼유결구전변적원인가능시An건장여MgO(001)표면적정격실배조성적.흡부재MgO(001)표면적단족인수도표면겁화이사득단족상전하분포발생변화,단시표면츤저화단족지간적전하전이량흔소.
