半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
2期
126-128
,共3页
袁凤坡%尹甲运%刘波%梁栋%冯志宏
袁鳳坡%尹甲運%劉波%樑棟%馮誌宏
원봉파%윤갑운%류파%량동%풍지굉
金属有机物化学汽相淀积%氮化镓%铟镓氮%铝活性剂
金屬有機物化學汽相澱積%氮化鎵%銦鎵氮%鋁活性劑
금속유궤물화학기상정적%담화가%인가담%려활성제
为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂.实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al).研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道.
為瞭解決材料的界麵平整度,改善材料的晶體質量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生長過程中,加入瞭Al摻雜劑.實驗髮現,InGaN材料的雙晶衍射半寬從533arcsec(非摻Al)下降到399 arcsec(輕摻Al),PL光譜半寬變窄,從21.4 nm(非摻Al)降為20.9 nm(輕摻Al).研究結果錶明,Al作為活性劑明顯提高瞭InGaN材料質量,這將對改善LED和LD多量子阱材料和器件質量帶來積極影響,目前還沒有相關的文獻報道.
위료해결재료적계면평정도,개선재료적정체질량,재Ⅲ-Ⅴ족담화물(InGaN)재료적생장과정중,가입료Al참잡제.실험발현,InGaN재료적쌍정연사반관종533arcsec(비참Al)하강도399 arcsec(경참Al),PL광보반관변착,종21.4 nm(비참Al)강위20.9 nm(경참Al).연구결과표명,Al작위활성제명현제고료InGaN재료질량,저장대개선LED화LD다양자정재료화기건질량대래적겁영향,목전환몰유상관적문헌보도.
