微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2007年
12期
77-79,84
,共4页
VDMOSFET%特征电阻%窗口扩散区长度Lw%多晶硅栅长度LP
VDMOSFET%特徵電阻%窗口擴散區長度Lw%多晶硅柵長度LP
VDMOSFET%특정전조%창구확산구장도Lw%다정규책장도LP
VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻.理论分析了多晶硅栅长度Lp和窗口扩散区长度Lw对VDMOSFET特征电阻的影响,并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度Lw的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围.
VDMOSFET的一箇重要設計目標就是要在單位麵積得到最小的導通電阻.理論分析瞭多晶硅柵長度Lp和窗口擴散區長度Lw對VDMOSFET特徵電阻的影響,併通過大量計算得到瞭最小特徵電阻時窗口擴散區長度Lw的取值方法和多晶硅柵長度LP的取值範圍.
VDMOSFET적일개중요설계목표취시요재단위면적득도최소적도통전조.이론분석료다정규책장도Lp화창구확산구장도Lw대VDMOSFET특정전조적영향,병통과대량계산득도료최소특정전조시창구확산구장도Lw적취치방법화다정규책장도LP적취치범위.
