中国科技信息
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중국과기신식
CHINA SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION
2007年
23期
310-312,314
,共4页
佘家新%吕燕伍%赵明明%庞许倩
佘傢新%呂燕伍%趙明明%龐許倩
사가신%려연오%조명명%방허천
GaAs MESFET%亚微米%输运性质%蒙特卡罗模拟
GaAs MESFET%亞微米%輸運性質%矇特卡囉模擬
GaAs MESFET%아미미%수운성질%몽특잡라모의
根据半经典输运模型,考虑了GaAs的非抛物性能带结构和主要的散射机制,采用蒙特卡罗模拟方法计算了亚微米尺寸GaAs MESFET器件的输运性质和电流电压特性,分析了器件中电子密度、电场和迁移率的不均匀分布,计算了不同尺寸栅长下的电子漂移速度和漏电流,分析了栅长尺寸对电子漂移速度和漏电流的影响.随着栅长尺寸的增加,栅下沟道的电子漂移速度减小,而且漏电流呈线性递减.
根據半經典輸運模型,攷慮瞭GaAs的非拋物性能帶結構和主要的散射機製,採用矇特卡囉模擬方法計算瞭亞微米呎吋GaAs MESFET器件的輸運性質和電流電壓特性,分析瞭器件中電子密度、電場和遷移率的不均勻分佈,計算瞭不同呎吋柵長下的電子漂移速度和漏電流,分析瞭柵長呎吋對電子漂移速度和漏電流的影響.隨著柵長呎吋的增加,柵下溝道的電子漂移速度減小,而且漏電流呈線性遞減.
근거반경전수운모형,고필료GaAs적비포물성능대결구화주요적산사궤제,채용몽특잡라모의방법계산료아미미척촌GaAs MESFET기건적수운성질화전류전압특성,분석료기건중전자밀도、전장화천이솔적불균균분포,계산료불동척촌책장하적전자표이속도화루전류,분석료책장척촌대전자표이속도화루전류적영향.수착책장척촌적증가,책하구도적전자표이속도감소,이차루전류정선성체감.
