Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT
Si츤저상5.1W/mm공솔밀도적GaN HEMT
A 5.1W/mm Power Density GaN HEMT on Si Substrate
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 12期 1949-1951 ,共3页

    冯志宏%尹甲运%袁凤坡%刘波%梁栋%默江辉%张志国%王勇%冯震%李效白%杨克武%蔡树军

    풍지굉%윤갑운%원봉파%류파%량동%묵강휘%장지국%왕용%풍진%리효백%양극무%채수군

    Si衬底%GaN HEMT%XRD半高宽%二维电子气迁移率%功率密度 Si襯底%GaN HEMT%XRD半高寬%二維電子氣遷移率%功率密度
    Si츤저%GaN HEMT%XRD반고관%이유전자기천이솔%공솔밀도
    利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaN HEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD (002) 摇摆曲线半高宽573″,(102) 摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaN HEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V·s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.
    이용MOCVD기술재Si(111)츤저상생장료고질량적GaN HEMT재료.1μm후GaN외연층XRD (002) 요파곡선반고관573″,(102) 요파곡선반고관668″.통과삽입층기술실현2μm후GaN HEMT재료무렬문,실온이유전자기천이솔1350cm2/(V·s),방괴전조328Ω/□.1mm책관GaN미파공솔기건포화전류대우0.8A/mm,과도대우250mS/mm,2GHz하최대련속파수출공솔5.1W,증익9.1dB,부가효솔체도35%.
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