半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
12期
1037-1041
,共5页
仿真%延迟%环形振荡器
倣真%延遲%環形振盪器
방진%연지%배형진탕기
随着器件线宽的不断缩小,在集成电路仿真中互连线延迟所占的比重逐渐变大,而MOSFET延迟所占的比重慢慢减小,这就意味着互连的寄生电阻电容对延迟的影响越来越大.研究了如何区分并计算器件部分和互连部分的寄生电阻电容.其中区分本地互连寄生电阻电容和器件电阻电容是关键.以90 nm器件为例,通过提取不同部分的寄生电阻电容,对环形振荡器进行延迟仿真,得到了它们对延迟的影响.通过不同的测试结构达到精确计算器件寄生电阻电容的目的,最终实现了对电路的精确仿真.
隨著器件線寬的不斷縮小,在集成電路倣真中互連線延遲所佔的比重逐漸變大,而MOSFET延遲所佔的比重慢慢減小,這就意味著互連的寄生電阻電容對延遲的影響越來越大.研究瞭如何區分併計算器件部分和互連部分的寄生電阻電容.其中區分本地互連寄生電阻電容和器件電阻電容是關鍵.以90 nm器件為例,通過提取不同部分的寄生電阻電容,對環形振盪器進行延遲倣真,得到瞭它們對延遲的影響.通過不同的測試結構達到精確計算器件寄生電阻電容的目的,最終實現瞭對電路的精確倣真.
수착기건선관적불단축소,재집성전로방진중호련선연지소점적비중축점변대,이MOSFET연지소점적비중만만감소,저취의미착호련적기생전조전용대연지적영향월래월대.연구료여하구분병계산기건부분화호련부분적기생전조전용.기중구분본지호련기생전조전용화기건전조전용시관건.이90 nm기건위례,통과제취불동부분적기생전조전용,대배형진탕기진행연지방진,득도료타문대연지적영향.통과불동적측시결구체도정학계산기건기생전조전용적목적,최종실현료대전로적정학방진.
