半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
9期
1388-1391
,共4页
夏艳%王军转%石卓琼%施毅%濮林%张荣%郑有炓%陶镇生%陆昉
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氧化铪%铒%光致发光
氧化鉿%鉺%光緻髮光
양화협%이%광치발광
用脉冲激光淀积(PLD)技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪(HfO2)薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光(PL)现象.分析了后期不同的退火温度对样品发光强度的影响,发现当退火温度选取800℃时可最大程度减少材料中的晶格损伤和缺陷等非辐射衰减中心,同时光激活Er离子,从而实现最大强度的光致发光.通过对样品光致发光激发(PLE)的测量分析发现,在Er离子的发光过程中除了直接吸收的过程之外还存在着间接激发的过程.HfO2将会成为Er掺杂的一种很好的基质材料.
用脈遲激光澱積(PLD)技術和離子註入的方法製備瞭摻Er氧化鉿(HfO2)薄膜樣品,觀察到瞭樣品中Er離子波長1535nm的室溫和變溫光緻髮光(PL)現象.分析瞭後期不同的退火溫度對樣品髮光彊度的影響,髮現噹退火溫度選取800℃時可最大程度減少材料中的晶格損傷和缺陷等非輻射衰減中心,同時光激活Er離子,從而實現最大彊度的光緻髮光.通過對樣品光緻髮光激髮(PLE)的測量分析髮現,在Er離子的髮光過程中除瞭直接吸收的過程之外還存在著間接激髮的過程.HfO2將會成為Er摻雜的一種很好的基質材料.
용맥충격광정적(PLD)기술화리자주입적방법제비료참Er양화협(HfO2)박막양품,관찰도료양품중Er리자파장1535nm적실온화변온광치발광(PL)현상.분석료후기불동적퇴화온도대양품발광강도적영향,발현당퇴화온도선취800℃시가최대정도감소재료중적정격손상화결함등비복사쇠감중심,동시광격활Er리자,종이실현최대강도적광치발광.통과대양품광치발광격발(PLE)적측량분석발현,재Er리자적발광과정중제료직접흡수적과정지외환존재착간접격발적과정.HfO2장회성위Er참잡적일충흔호적기질재료.
