现代仪器
現代儀器
현대의기
MODERN INSTRUMENTS
2007年
4期
60-62
,共3页
王海云%刘红艳%徐岳生%刘彩池
王海雲%劉紅豔%徐嶽生%劉綵池
왕해운%류홍염%서악생%류채지
X射线衍射仪%异常透射%小角度晶界%胞状结构
X射線衍射儀%異常透射%小角度晶界%胞狀結構
X사선연사의%이상투사%소각도정계%포상결구
本文采用X射线衍射仪(XRD),通过异常透射对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的形貌及缺陷进行研究.在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构.X射线形貌技术可以显示SI-GaAs中的高密度位错的结构与分布,从而评估其质量.
本文採用X射線衍射儀(XRD),通過異常透射對半絕緣砷化鎵(SI-GaAs)的形貌及缺陷進行研究.在沒有特殊工藝措施的情況下,LEC法生產的SI-GaAs單晶片的週邊區域,都存在有高密度位錯的相互作用、割階和纏繞的產物-胞狀結構.X射線形貌技術可以顯示SI-GaAs中的高密度位錯的結構與分佈,從而評估其質量.
본문채용X사선연사의(XRD),통과이상투사대반절연신화가(SI-GaAs)적형모급결함진행연구.재몰유특수공예조시적정황하,LEC법생산적SI-GaAs단정편적주변구역,도존재유고밀도위착적상호작용、할계화전요적산물-포상결구.X사선형모기술가이현시SI-GaAs중적고밀도위착적결구여분포,종이평고기질량.
