半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
9期
765-767
,共3页
梁栋%袁凤坡%张宝顺%尹甲运%刘波%冯志宏
樑棟%袁鳳坡%張寶順%尹甲運%劉波%馮誌宏
량동%원봉파%장보순%윤갑운%류파%풍지굉
AlGaN/AlN%应变%弛豫%弯曲系数
AlGaN/AlN%應變%弛豫%彎麯繫數
AlGaN/AlN%응변%이예%만곡계수
采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN结构,并进行了应变分析.通过X射线双晶衍射ω-2θ扫描曲线和拟合曲线分析发现,AlN是由两个不同弛豫度的应变缓冲层组成,弛豫度分别为96%和97.2%.AlN缓冲层在低温下不完全弛豫,导致高温下存在一个继续弛豫过程.X射线双晶衍射和透射光谱分析发现,AlGaN层Al组分由于未知的AlGaN弛豫度而无法确定.对AlGaN带隙公式和实验结果进行拟合,推算出弯曲系数为1.05 eV,这与已有文献相吻合.
採用低溫和高溫AlN複閤緩遲層的方法在藍寶石襯底上外延生長AlGaN/AlN結構,併進行瞭應變分析.通過X射線雙晶衍射ω-2θ掃描麯線和擬閤麯線分析髮現,AlN是由兩箇不同弛豫度的應變緩遲層組成,弛豫度分彆為96%和97.2%.AlN緩遲層在低溫下不完全弛豫,導緻高溫下存在一箇繼續弛豫過程.X射線雙晶衍射和透射光譜分析髮現,AlGaN層Al組分由于未知的AlGaN弛豫度而無法確定.對AlGaN帶隙公式和實驗結果進行擬閤,推算齣彎麯繫數為1.05 eV,這與已有文獻相吻閤.
채용저온화고온AlN복합완충층적방법재람보석츤저상외연생장AlGaN/AlN결구,병진행료응변분석.통과X사선쌍정연사ω-2θ소묘곡선화의합곡선분석발현,AlN시유량개불동이예도적응변완충층조성,이예도분별위96%화97.2%.AlN완충층재저온하불완전이예,도치고온하존재일개계속이예과정.X사선쌍정연사화투사광보분석발현,AlGaN층Al조분유우미지적AlGaN이예도이무법학정.대AlGaN대극공식화실험결과진행의합,추산출만곡계수위1.05 eV,저여이유문헌상문합.
