半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
6期
923-930
,共8页
肖德元%陈国庆%李若加%卢普生%陈良成%刘永%沈其昌
肖德元%陳國慶%李若加%盧普生%陳良成%劉永%瀋其昌
초덕원%진국경%리약가%로보생%진량성%류영%침기창
新颖器件%场效应晶体管%平面分离双栅%亚阈值摆幅可调
新穎器件%場效應晶體管%平麵分離雙柵%亞閾值襬幅可調
신영기건%장효응정체관%평면분리쌍책%아역치파폭가조
提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管,该器件垂直于沟道方向的电场为一非均匀场.理论计算、TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明,通过改变该器件中任何一个栅极偏置电压,能够得到可以调节的输出特性(增益系数)及转移特性曲线,可以很方便地调节器件的阈值电压及亚阈值摆幅并具备低功耗特点.这为电路的设计及器件制作提供了更多的灵活性,既可以简化电路的设计又可以降低MOS集成电路制造工艺的复杂程度.平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺与目前常规的CMOS工艺完全兼容.
提齣併製作瞭一種全新的平麵分離雙柵金屬氧化物半導體場效應晶體管,該器件垂直于溝道方嚮的電場為一非均勻場.理論計算、TCAD三維器件倣真以及實驗結果均錶明,通過改變該器件中任何一箇柵極偏置電壓,能夠得到可以調節的輸齣特性(增益繫數)及轉移特性麯線,可以很方便地調節器件的閾值電壓及亞閾值襬幅併具備低功耗特點.這為電路的設計及器件製作提供瞭更多的靈活性,既可以簡化電路的設計又可以降低MOS集成電路製造工藝的複雜程度.平麵分離雙柵金屬氧化物半導體場效應晶體管製作工藝與目前常規的CMOS工藝完全兼容.
제출병제작료일충전신적평면분리쌍책금속양화물반도체장효응정체관,해기건수직우구도방향적전장위일비균균장.이론계산、TCAD삼유기건방진이급실험결과균표명,통과개변해기건중임하일개책겁편치전압,능구득도가이조절적수출특성(증익계수)급전이특성곡선,가이흔방편지조절기건적역치전압급아역치파폭병구비저공모특점.저위전로적설계급기건제작제공료경다적령활성,기가이간화전로적설계우가이강저MOS집성전로제조공예적복잡정도.평면분리쌍책금속양화물반도체장효응정체관제작공예여목전상규적CMOS공예완전겸용.
