河北工业大学学报
河北工業大學學報
하북공업대학학보
JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2007年
2期
15-19
,共5页
陈洪建%张维连%陈贵峰%李养贤
陳洪建%張維連%陳貴峰%李養賢
진홍건%장유련%진귀봉%리양현
GaN%自支撑GaN%HVPE%金属有机化学气相沉积(MOCVD)
GaN%自支撐GaN%HVPE%金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)
GaN%자지탱GaN%HVPE%금속유궤화학기상침적(MOCVD)
氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.
氫化物氣相外延(HVPE)是製備氮化鎵(GaN)襯底最有希望的方法.本文介紹瞭氮化鎵材料的電學、光學性質及重要用途,總結瞭GaN體單晶及薄膜材料製備方法,描述瞭氫化物氣相外延技術原理,分析瞭HVPE製備自支撐(Free-Standing)GaN襯底方法,綜述瞭HVPE技術國內外研究進展,指齣今後研究方嚮.
경화물기상외연(HVPE)시제비담화가(GaN)츤저최유희망적방법.본문개소료담화가재료적전학、광학성질급중요용도,총결료GaN체단정급박막재료제비방법,묘술료경화물기상외연기술원리,분석료HVPE제비자지탱(Free-Standing)GaN츤저방법,종술료HVPE기술국내외연구진전,지출금후연구방향.
