半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
161-164
,共4页
刘奇斌%张楷亮%王良咏%宋志棠%封松林
劉奇斌%張楷亮%王良詠%宋誌棠%封鬆林
류기빈%장해량%왕량영%송지당%봉송림
Ge2Sb2Te5%相变存储器%化学机械抛光%电化学
Ge2Sb2Te5%相變存儲器%化學機械拋光%電化學
Ge2Sb2Te5%상변존저기%화학궤계포광%전화학
从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为;而抛光液的pH值为11时,开始向活化转变;当pH值为12时,薄膜处于活化状态.在动电位扫描过程中,不同的pH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状相似,表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理.自制碱性抛光液,对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光,用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析.结果表明,通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构.
從電化學角度研究瞭Ge2Sb2Te5薄膜在化學機械拋光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2濃度下的電化學特性.採用Solartron SI1287電化學設備測試瞭Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的開路電位和動電位掃描.開路電位結果錶明:Ge2Sb2Te5在pH值為10的拋光液中錶現齣鈍化行為;而拋光液的pH值為11時,開始嚮活化轉變;噹pH值為12時,薄膜處于活化狀態.在動電位掃描過程中,不同的pH值和H2O2濃度下,薄膜的掃描麯線形狀相似,錶明薄膜腐蝕具有相同的反應機理.自製堿性拋光液,對Ge2Sb2Te5薄膜進行化學機械拋光,用SEM和EDS對拋光後的結構進行分析.結果錶明,通過CMP實現瞭Ge2Sb2Te5填充結構.
종전화학각도연구료Ge2Sb2Te5박막재화학궤계포광액중적작용,이급불동적pH치화H2O2농도하적전화학특성.채용Solartron SI1287전화학설비측시료Ge2Sb2Te5박막재용액중적개로전위화동전위소묘.개로전위결과표명:Ge2Sb2Te5재pH치위10적포광액중표현출둔화행위;이포광액적pH치위11시,개시향활화전변;당pH치위12시,박막처우활화상태.재동전위소묘과정중,불동적pH치화H2O2농도하,박막적소묘곡선형상상사,표명박막부식구유상동적반응궤리.자제감성포광액,대Ge2Sb2Te5박막진행화학궤계포광,용SEM화EDS대포광후적결구진행분석.결과표명,통과CMP실현료Ge2Sb2Te5전충결구.
