一种新型半绝缘键合SOI结构
일충신형반절연건합SOI결구
A Novel Semi-Insulation Bonding SOI Structure
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 10期 1828-1831 ,共4页

    谭开洲%冯建%刘勇%徐世六%杨谟华%李肇基%张正璠%刘玉奎%何开全

    담개주%풍건%류용%서세륙%양모화%리조기%장정번%류옥규%하개전

    硅片键合%半绝缘SOI%多晶过渡层 硅片鍵閤%半絕緣SOI%多晶過渡層
    규편건합%반절연SOI%다정과도층
    报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si-Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可靠集成电路、MEMS、硅基光电集成等新器件和电路中.
    보도료일충신형반절연건합SOI결구,채용화학기상정적가외연생장건합과도다정규층적방법실현료해결구.연제출적저충신결구,완정솔대우85%,Si-Si건합계면접촉비전조소우5×10-4Ω·cm2.저충신결구가이엄범용우고저압공솔집성전로、고가고집성전로、MEMS、규기광전집성등신기건화전로중.
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