电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2003年
5期
721-723
,共3页
闻瑞梅%徐志彪%孟广祯%吴坚
聞瑞梅%徐誌彪%孟廣禎%吳堅
문서매%서지표%맹엄정%오견
有机金属气相淀积%硅%连续电脱盐%超大规模集成电路
有機金屬氣相澱積%硅%連續電脫鹽%超大規模集成電路
유궤금속기상정적%규%련속전탈염%초대규모집성전로
本文介绍了硅对砷化镓材料生长及有机金属化合物气相淀积(MOVPE)工艺中的影响和电脱盐(EDI)技术以及用EDI降低高纯水中硅浓度的机理和方法,通过大量实验比较不同制水设备脱硅效果,得出用EDI技术严格控制pH(8～11)时脱硅效果最好,能使高纯水中Si的浓度＜0.5μg/L,满足了MO源生产及MOVPE工艺用水中Si浓度<3μg/L的需要.
本文介紹瞭硅對砷化鎵材料生長及有機金屬化閤物氣相澱積(MOVPE)工藝中的影響和電脫鹽(EDI)技術以及用EDI降低高純水中硅濃度的機理和方法,通過大量實驗比較不同製水設備脫硅效果,得齣用EDI技術嚴格控製pH(8～11)時脫硅效果最好,能使高純水中Si的濃度＜0.5μg/L,滿足瞭MO源生產及MOVPE工藝用水中Si濃度<3μg/L的需要.
본문개소료규대신화가재료생장급유궤금속화합물기상정적(MOVPE)공예중적영향화전탈염(EDI)기술이급용EDI강저고순수중규농도적궤리화방법,통과대량실험비교불동제수설비탈규효과,득출용EDI기술엄격공제pH(8～11)시탈규효과최호,능사고순수중Si적농도＜0.5μg/L,만족료MO원생산급MOVPE공예용수중Si농도<3μg/L적수요.
