电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2003年
5期
671-673
,共3页
张正元%温志渝%徐世六%张正番%黄尚廉
張正元%溫誌渝%徐世六%張正番%黃尚廉
장정원%온지투%서세륙%장정번%황상렴
射频微机械开关%CPW开关%金属膜%绝缘层%牺牲层
射頻微機械開關%CPW開關%金屬膜%絕緣層%犧牲層
사빈미궤계개관%CPW개관%금속막%절연층%희생층
本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关.初步测试结果如下:开态电容为0.21pF,关态电容为6.1pF,致动电压为22V,关态下的隔离度为35dB,开态下插入损耗为3dB.该工艺完全与硅基IC工艺兼容,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化,降低体积提高可靠性打下了基础.
本文採用聚酰亞胺犧牲層技術和二氧化硅介質隔離技術,成功地在絕緣多晶硅襯底上研製齣一種射頻微機械CPW開關.初步測試結果如下:開態電容為0.21pF,關態電容為6.1pF,緻動電壓為22V,關態下的隔離度為35dB,開態下插入損耗為3dB.該工藝完全與硅基IC工藝兼容,這為射頻微機械CPW開關與IC實現單片集成化,降低體積提高可靠性打下瞭基礎.
본문채용취선아알희생층기술화이양화규개질격리기술,성공지재절연다정규츤저상연제출일충사빈미궤계CPW개관.초보측시결과여하:개태전용위0.21pF,관태전용위6.1pF,치동전압위22V,관태하적격리도위35dB,개태하삽입손모위3dB.해공예완전여규기IC공예겸용,저위사빈미궤계CPW개관여IC실현단편집성화,강저체적제고가고성타하료기출.
