固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年
3期
339-344
,共6页
罗尹虹%张正选%吴国荣%姜景和
囉尹虹%張正選%吳國榮%薑景和
라윤홍%장정선%오국영%강경화
N-金属氧化物半导体场效应晶体管%电离辐射效应%二维模拟
N-金屬氧化物半導體場效應晶體管%電離輻射效應%二維模擬
N-금속양화물반도체장효응정체관%전리복사효응%이유모의
对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET的电离辐射效应进行二维数值模拟.通过在SiO2内解泊松方程、电流连续性方程及总剂量引入的空穴陷阱的辅助方程,对NMOSFET的电离辐射效应特性进行研究,得出辐射产生的泄漏电流,主要是由于鸟嘴区和场氧区侧向寄生晶体管阈值电压的漂移所引起的.
對具有側嚮寄生晶體管的NMOSFET的電離輻射效應進行二維數值模擬.通過在SiO2內解泊鬆方程、電流連續性方程及總劑量引入的空穴陷阱的輔助方程,對NMOSFET的電離輻射效應特性進行研究,得齣輻射產生的洩漏電流,主要是由于鳥嘴區和場氧區側嚮寄生晶體管閾值電壓的漂移所引起的.
대구유측향기생정체관적NMOSFET적전리복사효응진행이유수치모의.통과재SiO2내해박송방정、전류련속성방정급총제량인입적공혈함정적보조방정,대NMOSFET적전리복사효응특성진행연구,득출복사산생적설루전류,주요시유우조취구화장양구측향기생정체관역치전압적표이소인기적.
