电工技术学报
電工技術學報
전공기술학보
TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY
2000年
5期
53-57
,共5页
张冠军%严璋%刘源兴%安冈康一%石井彰三
張冠軍%嚴璋%劉源興%安岡康一%石井彰三
장관군%엄장%류원흥%안강강일%석정창삼
硅半导体%泄漏电流%沿面闪络%电流细丝%表面态
硅半導體%洩漏電流%沿麵閃絡%電流細絲%錶麵態
규반도체%설루전류%연면섬락%전류세사%표면태
在冲击电压下,通过在真空中对采用和未采用化学腐蚀表面处理的硅半导体的实验表明,试品的表面状况对其泄漏电流和沿面闪络特性有着很大的影响,在沿面闪络之前,未经处理试品的泄漏电流表现为欧姆性电流,而表面处理过的试品表现为空间电荷限制电流特性;同时两类试品表面的放电通道也表现出不同的特征.提出了一个新的模型来描述半导体材料沿面闪络的发展过程,即由焦耳热效应诱导的电流细丝现象而发展成最终的闪络,并认为这是一个发生在半导体表层内的过程,在靠近真空的侧面这一表层厚度约为2μm.
在遲擊電壓下,通過在真空中對採用和未採用化學腐蝕錶麵處理的硅半導體的實驗錶明,試品的錶麵狀況對其洩漏電流和沿麵閃絡特性有著很大的影響,在沿麵閃絡之前,未經處理試品的洩漏電流錶現為歐姆性電流,而錶麵處理過的試品錶現為空間電荷限製電流特性;同時兩類試品錶麵的放電通道也錶現齣不同的特徵.提齣瞭一箇新的模型來描述半導體材料沿麵閃絡的髮展過程,即由焦耳熱效應誘導的電流細絲現象而髮展成最終的閃絡,併認為這是一箇髮生在半導體錶層內的過程,在靠近真空的側麵這一錶層厚度約為2μm.
재충격전압하,통과재진공중대채용화미채용화학부식표면처리적규반도체적실험표명,시품적표면상황대기설루전류화연면섬락특성유착흔대적영향,재연면섬락지전,미경처리시품적설루전류표현위구모성전류,이표면처리과적시품표현위공간전하한제전류특성;동시량류시품표면적방전통도야표현출불동적특정.제출료일개신적모형래묘술반도체재료연면섬락적발전과정,즉유초이열효응유도적전류세사현상이발전성최종적섬락,병인위저시일개발생재반도체표층내적과정,재고근진공적측면저일표층후도약위2μm.
