GaP:N LED外延片微区光致发光和拉曼散射研究
GaP:N LED외연편미구광치발광화랍만산사연구
Study on GaP:N LED Epitaxial Layer by Microscopical Photoluminescence and Raman Spectroscopy
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2000年 3期 200-204 ,共5页

    高瑛%高汉江%骆永石%刘和初%董跃进%章厚琪

    고영%고한강%락영석%류화초%동약진%장후기

    微区光致发光%拉曼散射 微區光緻髮光%拉曼散射
    미구광치발광%랍만산사
    在国内首次通过微区光致发光结合拉曼散射的方法研究了GaP:N五层结构的绿色发光外延片,用非破坏性的光学方法得到了载流子浓度的纵向分布,确定了发光最强的部位在P-区而且不同的样品有不同的光致发光强度随厚度的衰减曲线,以此为表征,从国内外样品的比较中查找出提高国产样品的改进方向.
    재국내수차통과미구광치발광결합랍만산사적방법연구료GaP:N오층결구적록색발광외연편,용비파배성적광학방법득도료재류자농도적종향분포,학정료발광최강적부위재P-구이차불동적양품유불동적광치발광강도수후도적쇠감곡선,이차위표정,종국내외양품적비교중사조출제고국산양품적개진방향.
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