半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
2期
142-145
,共4页
刘学锋%李晋闽%孔梅影%黄大定%李建平%林兰英
劉學鋒%李晉閩%孔梅影%黃大定%李建平%林蘭英
류학봉%리진민%공매영%황대정%리건평%림란영
气源分子束外延%异质结双极晶体管%硅锗合金
氣源分子束外延%異質結雙極晶體管%硅鍺閤金
기원분자속외연%이질결쌍겁정체관%규타합금
用气态源分子束外延法制备了Si/SiGe/Si npn异质结双极晶体管.晶体管基区Ge组分为0.12，B掺杂浓度为1.5×101 9cm-3， SiGe合金厚度约45nm.直流特性测试表明，共发射极直流放大倍数约50，击穿电压VCE约9V；射频特性测试结果表明，晶体管的截止频率为7GHz，最高振荡频率为2.5GHz.
用氣態源分子束外延法製備瞭Si/SiGe/Si npn異質結雙極晶體管.晶體管基區Ge組分為0.12，B摻雜濃度為1.5×101 9cm-3， SiGe閤金厚度約45nm.直流特性測試錶明，共髮射極直流放大倍數約50，擊穿電壓VCE約9V；射頻特性測試結果錶明，晶體管的截止頻率為7GHz，最高振盪頻率為2.5GHz.
용기태원분자속외연법제비료Si/SiGe/Si npn이질결쌍겁정체관.정체관기구Ge조분위0.12，B참잡농도위1.5×101 9cm-3， SiGe합금후도약45nm.직류특성측시표명，공발사겁직류방대배수약50，격천전압VCE약9V；사빈특성측시결과표명，정체관적절지빈솔위7GHz，최고진탕빈솔위2.5GHz.
