太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
1999年
4期
404-407
,共4页
王文静%许颖%罗欣莲%于民%于元%赵玉文
王文靜%許穎%囉訢蓮%于民%于元%趙玉文
왕문정%허영%라흔련%우민%우원%조옥문
太阳电池%单晶硅%薄膜
太暘電池%單晶硅%薄膜
태양전지%단정규%박막
对在重掺杂抛光单晶硅衬底上用RTCVD法形成硅薄膜太阳电池进行了研究.衬底为〈100〉晶向p++型重掺硅片,电阻率为5×10-3Ωcm.主要工艺过程为:在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼,膜厚38μm,扩磷制备p-n结,背面蒸Al及Ti/Pd/Ag制背电极,正表面在扩散后生长一层SiO2,前面用光刻剥离法制备Ti/Pd/Ag电极,制成的1cm2太阳电池,开路电压VOC＝612.8mV,短路电流ISC＝29.3mA,填充因子FF＝0.7579,效率η＝13.61%.对一些影响电池特性的因素进行了研究,发现硅薄膜的掺杂浓度、发射层的掺杂浓度以及减反射层都对太阳电池的特性有较大影响.
對在重摻雜拋光單晶硅襯底上用RTCVD法形成硅薄膜太暘電池進行瞭研究.襯底為〈100〉晶嚮p++型重摻硅片,電阻率為5×10-3Ωcm.主要工藝過程為:在襯底上生長一層硅薄膜同時摻硼,膜厚38μm,擴燐製備p-n結,揹麵蒸Al及Ti/Pd/Ag製揹電極,正錶麵在擴散後生長一層SiO2,前麵用光刻剝離法製備Ti/Pd/Ag電極,製成的1cm2太暘電池,開路電壓VOC＝612.8mV,短路電流ISC＝29.3mA,填充因子FF＝0.7579,效率η＝13.61%.對一些影響電池特性的因素進行瞭研究,髮現硅薄膜的摻雜濃度、髮射層的摻雜濃度以及減反射層都對太暘電池的特性有較大影響.
대재중참잡포광단정규츤저상용RTCVD법형성규박막태양전지진행료연구.츤저위〈100〉정향p++형중참규편,전조솔위5×10-3Ωcm.주요공예과정위:재츤저상생장일층규박막동시참붕,막후38μm,확린제비p-n결,배면증Al급Ti/Pd/Ag제배전겁,정표면재확산후생장일층SiO2,전면용광각박리법제비Ti/Pd/Ag전겁,제성적1cm2태양전지,개로전압VOC＝612.8mV,단로전류ISC＝29.3mA,전충인자FF＝0.7579,효솔η＝13.61%.대일사영향전지특성적인소진행료연구,발현규박막적참잡농도、발사층적참잡농도이급감반사층도대태양전지적특성유교대영향.
