一种超低插损砷化镓射频开关
일충초저삽손신화가사빈개관
An Ultra Low Insertion Loss GaAs MMIC RF SPDT Switch
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2003年 2期 199-201 ,共3页

    蒋幼泉%李拂晓%黄念宁%钮利荣%陈新宇%邵凯%杨乃彬

    장유천%리불효%황념저%뉴리영%진신우%소개%양내빈

    砷化镓单片%单刀双掷%射频开关 砷化鎵單片%單刀雙擲%射頻開關
    신화가단편%단도쌍척%사빈개관
    报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.该产品在820～950 MHz下, 插入损耗≤0.4 dB,回波损耗≥19.5 dB,反向三阶交调截距点≥67 dB m,隔离度≥15.5 dB,控制电压为(0,+4.75 V).
    보도료이용리자주입기술연제출일충용우수궤적초저삽손신화가단편사빈단도쌍척개관.해산품재820～950 MHz하, 삽입손모≤0.4 dB,회파손모≥19.5 dB,반향삼계교조절거점≥67 dB m,격리도≥15.5 dB,공제전압위(0,+4.75 V).
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