半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
8期
800-804
,共5页
孙国胜%王雷%罗木昌%赵万顺%孙殿照%曾一平%李晋闽%林兰英
孫國勝%王雷%囉木昌%趙萬順%孫殿照%曾一平%李晉閩%林蘭英
손국성%왕뢰%라목창%조만순%손전조%증일평%리진민%림란영
CVD/LPCVD%异质外延生长%3C-SiC
CVD/LPCVD%異質外延生長%3C-SiC
CVD/LPCVD%이질외연생장%3C-SiC
CVD/LPCVD%heteroepitaxy%3C-SiC
介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)衬底上获得了高质量的3C-SiC外延材料.用X射线衍射和Raman散射技术研究了3C-SiC外延膜的结晶质量,在80～300K的温度范围内利用Van der Pauw方法对1～3μm厚的外延膜的电学特性进行了测试,室温Hall迁移率最高达到470cm2/(V*s),载流子浓度为7.7×1017cm-3.
介紹瞭新近研製齣的一種電阻加熱式CVD/LPCVD SiC專用製備繫統,併利用該繫統以SiH4、C2H4和H2作為反應氣體在直徑為50mm的Si(100)襯底上穫得瞭高質量的3C-SiC外延材料.用X射線衍射和Raman散射技術研究瞭3C-SiC外延膜的結晶質量,在80～300K的溫度範圍內利用Van der Pauw方法對1～3μm厚的外延膜的電學特性進行瞭測試,室溫Hall遷移率最高達到470cm2/(V*s),載流子濃度為7.7×1017cm-3.
개소료신근연제출적일충전조가열식CVD/LPCVD SiC전용제비계통,병이용해계통이SiH4、C2H4화H2작위반응기체재직경위50mm적Si(100)츤저상획득료고질량적3C-SiC외연재료.용X사선연사화Raman산사기술연구료3C-SiC외연막적결정질량,재80～300K적온도범위내이용Van der Pauw방법대1～3μm후적외연막적전학특성진행료측시,실온Hall천이솔최고체도470cm2/(V*s),재류자농도위7.7×1017cm-3.
Single crystalline 3C-SiC epitaxial layers are grown on φ50mm Si wafers by a new resistively heated CVD/LPCVD system,using SiH4,C2H4 and H2 as gas precursors.X-ray diffraction and Raman scattering measurements are used to investigate the crystallinity of the grown films.Electrical properties of the epitaxial 3C-SiC layers with thickness of 1～3μm are measured by Van der Pauw method.The improved Hall mobility reaches the highest value of 470cm2/(V*s) at the carrier concentration of 7.7×1017cm-3.
