化学物理学报
化學物理學報
화학물이학보
CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS
2004年
1期
87-90
,共4页
任殿胜%王为%李雨辰%严如岳
任殿勝%王為%李雨辰%嚴如嶽
임전성%왕위%리우신%엄여악
XPS%砷化镓%表面氧化
XPS%砷化鎵%錶麵氧化
XPS%신화가%표면양화
用X射线光电子能谱仪(XPS)研究了砷化镓(GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光-臭氧激发下的氧化反应.分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚度等.研究表明,两种氧化方法的氧化过程不同,在砷化镓表面形成的氧化膜的厚度以及组成也不同, 热氧化下氧化层主要由Ga2O3、As2O3、As2O5以及少量元素As组成,而且表面明显富镓;紫外光激发下生成的氧化物主要为Ga2O3和As2O3,镓砷比与本体一致.讨论了可能的反应机理,紫外光不仅将氧分子激发为激发态氧原子,增加了氧的反应活性;同时也激发了GaAs材料的价电子,使其更容易被氧化.
用X射線光電子能譜儀(XPS)研究瞭砷化鎵(GaAs)晶片在空氣中的熱氧化和在紫外光-臭氧激髮下的氧化反應.分析瞭氧化層中的微觀化學構成、錶麵化學計量比以及錶麵氧化層的厚度等.研究錶明,兩種氧化方法的氧化過程不同,在砷化鎵錶麵形成的氧化膜的厚度以及組成也不同, 熱氧化下氧化層主要由Ga2O3、As2O3、As2O5以及少量元素As組成,而且錶麵明顯富鎵;紫外光激髮下生成的氧化物主要為Ga2O3和As2O3,鎵砷比與本體一緻.討論瞭可能的反應機理,紫外光不僅將氧分子激髮為激髮態氧原子,增加瞭氧的反應活性;同時也激髮瞭GaAs材料的價電子,使其更容易被氧化.
용X사선광전자능보의(XPS)연구료신화가(GaAs)정편재공기중적열양화화재자외광-취양격발하적양화반응.분석료양화층중적미관화학구성、표면화학계량비이급표면양화층적후도등.연구표명,량충양화방법적양화과정불동,재신화가표면형성적양화막적후도이급조성야불동, 열양화하양화층주요유Ga2O3、As2O3、As2O5이급소량원소As조성,이차표면명현부가;자외광격발하생성적양화물주요위Ga2O3화As2O3,가신비여본체일치.토론료가능적반응궤리,자외광불부장양분자격발위격발태양원자,증가료양적반응활성;동시야격발료GaAs재료적개전자,사기경용역피양화.
