发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2005年
6期
748-752
,共5页
方慧智%陆敏%陈志忠%陆羽%胡晓东%杨志坚%张国义
方慧智%陸敏%陳誌忠%陸羽%鬍曉東%楊誌堅%張國義
방혜지%륙민%진지충%륙우%호효동%양지견%장국의
侧向外延%金属有机化学气相沉积%氮化镓%原子力显微镜%拉曼散射
側嚮外延%金屬有機化學氣相沉積%氮化鎵%原子力顯微鏡%拉曼散射
측향외연%금속유궤화학기상침적%담화가%원자력현미경%랍만산사
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的.观察ELO-GaN 扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群.X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜.拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高.ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高.
側嚮外延(ELO)GaN的原子力顯微鏡(AFM)錶麵形貌圖像錶明,ELO-GaN相噹平整,而掩膜區中央有線狀分佈的小丘群,這是由ELO-GaN在掩膜區中央接閤時晶嚮不一緻而產生的缺陷造成的.觀察ELO-GaN 掃描電子顯微鏡(SEM)截麵圖,側嚮接閤處存在著三角空洞,併且側嚮接閤導緻上述小丘群.X射線衍射(XRD)麯線錶明,掩膜邊界處的GaN晶麵有傾斜.拉曼散射譜錶明,掩膜區GaN質量相對于窗口區大為提高.ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射譜比較錶明,ELO-GaN中的應力較小,晶體質量較高.
측향외연(ELO)GaN적원자력현미경(AFM)표면형모도상표명,ELO-GaN상당평정,이엄막구중앙유선상분포적소구군,저시유ELO-GaN재엄막구중앙접합시정향불일치이산생적결함조성적.관찰ELO-GaN 소묘전자현미경(SEM)절면도,측향접합처존재착삼각공동,병차측향접합도치상술소구군.X사선연사(XRD)곡선표명,엄막변계처적GaN정면유경사.랍만산사보표명,엄막구GaN질량상대우창구구대위제고.ELO-GaN화보통외연GaN적랍만산사보비교표명,ELO-GaN중적응력교소,정체질량교고.
