半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
478-481
,共4页
超辐射发光二极管(SLD)%辐照损伤%出光功率%TRIM程序%注量
超輻射髮光二極管(SLD)%輻照損傷%齣光功率%TRIM程序%註量
초복사발광이겁관(SLD)%복조손상%출광공솔%TRIM정서%주량
用能量分别为350keV和1MeV,注量为1×1012和1×1013p/cm2的质子对超辐射发光二极管(SLD)进行辐照,对辐照前后器件的光学和电学性能进行了测试.结果表明,在相同注量辐照的条件下,350keV与1MeV能量质子辐照引起的辐照损伤相比,前者引起的出光功率的退化更大,造成的辐照损伤更加严重.采用TRIM程序对质子入射到器件材料中的射程分布进行了模拟,初步探讨了SLD在350keV和1MeV能量质子辐照下的损伤效应.
用能量分彆為350keV和1MeV,註量為1×1012和1×1013p/cm2的質子對超輻射髮光二極管(SLD)進行輻照,對輻照前後器件的光學和電學性能進行瞭測試.結果錶明,在相同註量輻照的條件下,350keV與1MeV能量質子輻照引起的輻照損傷相比,前者引起的齣光功率的退化更大,造成的輻照損傷更加嚴重.採用TRIM程序對質子入射到器件材料中的射程分佈進行瞭模擬,初步探討瞭SLD在350keV和1MeV能量質子輻照下的損傷效應.
용능량분별위350keV화1MeV,주량위1×1012화1×1013p/cm2적질자대초복사발광이겁관(SLD)진행복조,대복조전후기건적광학화전학성능진행료측시.결과표명,재상동주량복조적조건하,350keV여1MeV능량질자복조인기적복조손상상비,전자인기적출광공솔적퇴화경대,조성적복조손상경가엄중.채용TRIM정서대질자입사도기건재료중적사정분포진행료모의,초보탐토료SLD재350keV화1MeV능량질자복조하적손상효응.
