电子设计工程
電子設計工程
전자설계공정
ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
2010年
3期
104-106
,共3页
曾华堂%赵红东%申研%王博
曾華堂%趙紅東%申研%王博
증화당%조홍동%신연%왕박
微电子学与固体电子学%射频集成电路(RFIC)%SiGe HBT%混频器
微電子學與固體電子學%射頻集成電路(RFIC)%SiGe HBT%混頻器
미전자학여고체전자학%사빈집성전로(RFIC)%SiGe HBT%혼빈기
针对目前国内RFIC发展比较滞后的现状,设计了3款应用于GNSS接收机的基于0.5 μm SiGe HBT工艺的混频器(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ),并采用针对混频器的优良指数FOM(figure-of-merit)对这3个混频器进行结构和综合性能比较.3款混频器的供电电压为3.3 V,本振LO输入功率为-10 dBm,其消耗总电流、转换增益、噪声系数、1 dB增益压缩点依次为:Ⅰ)8.7 mA,15 dB,4.1 dB,-17 dBm;Ⅱ)8.4 mA ,10 dB,4.6 dB,-10 dBm;Ⅲ)5.4 mA,11 dB,4.9 dB,-10 dBm.而3款混频器的FOM分别为-57.8、-56.6、-54.3,表明混频器Ⅲ的综合性能最佳,混频器Ⅱ次之,最后为混频器Ⅰ.
針對目前國內RFIC髮展比較滯後的現狀,設計瞭3款應用于GNSS接收機的基于0.5 μm SiGe HBT工藝的混頻器(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ),併採用針對混頻器的優良指數FOM(figure-of-merit)對這3箇混頻器進行結構和綜閤性能比較.3款混頻器的供電電壓為3.3 V,本振LO輸入功率為-10 dBm,其消耗總電流、轉換增益、譟聲繫數、1 dB增益壓縮點依次為:Ⅰ)8.7 mA,15 dB,4.1 dB,-17 dBm;Ⅱ)8.4 mA ,10 dB,4.6 dB,-10 dBm;Ⅲ)5.4 mA,11 dB,4.9 dB,-10 dBm.而3款混頻器的FOM分彆為-57.8、-56.6、-54.3,錶明混頻器Ⅲ的綜閤性能最佳,混頻器Ⅱ次之,最後為混頻器Ⅰ.
침대목전국내RFIC발전비교체후적현상,설계료3관응용우GNSS접수궤적기우0.5 μm SiGe HBT공예적혼빈기(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ),병채용침대혼빈기적우량지수FOM(figure-of-merit)대저3개혼빈기진행결구화종합성능비교.3관혼빈기적공전전압위3.3 V,본진LO수입공솔위-10 dBm,기소모총전류、전환증익、조성계수、1 dB증익압축점의차위:Ⅰ)8.7 mA,15 dB,4.1 dB,-17 dBm;Ⅱ)8.4 mA ,10 dB,4.6 dB,-10 dBm;Ⅲ)5.4 mA,11 dB,4.9 dB,-10 dBm.이3관혼빈기적FOM분별위-57.8、-56.6、-54.3,표명혼빈기Ⅲ적종합성능최가,혼빈기Ⅱ차지,최후위혼빈기Ⅰ.
