固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
2期
157-161
,共5页
表面电场%导通电阻%击穿电压%场极板
錶麵電場%導通電阻%擊穿電壓%場極闆
표면전장%도통전조%격천전압%장겁판
研究了常规LEDMOS,带有两块多晶硅场极板LEDMOS以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDMOS表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDMOS的表面峰值电场和导通电阻的变化情况.模拟结果和流水实验结果都表明:多块场极板是提高LEDMOS击穿电压的一种有效方法,而且场极板对导通电阻的影响很小.研究结果还表明:由于金属铝引线下面的氧化层很厚,所以铝引线几乎不会影响到LEDMOS的击穿特性.
研究瞭常規LEDMOS,帶有兩塊多晶硅場極闆LEDMOS以及帶有兩塊多晶硅場極闆和一塊鋁場極闆的LEDMOS錶麵電場分佈情況,重點研究瞭多塊場極闆在不同的外加電壓下,三種LEDMOS的錶麵峰值電場和導通電阻的變化情況.模擬結果和流水實驗結果都錶明:多塊場極闆是提高LEDMOS擊穿電壓的一種有效方法,而且場極闆對導通電阻的影響很小.研究結果還錶明:由于金屬鋁引線下麵的氧化層很厚,所以鋁引線幾乎不會影響到LEDMOS的擊穿特性.
연구료상규LEDMOS,대유량괴다정규장겁판LEDMOS이급대유량괴다정규장겁판화일괴려장겁판적LEDMOS표면전장분포정황,중점연구료다괴장겁판재불동적외가전압하,삼충LEDMOS적표면봉치전장화도통전조적변화정황.모의결과화류수실험결과도표명:다괴장겁판시제고LEDMOS격천전압적일충유효방법,이차장겁판대도통전조적영향흔소.연구결과환표명:유우금속려인선하면적양화층흔후,소이려인선궤호불회영향도LEDMOS적격천특성.
