微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
11期
641-648,663
,共9页
张严波%熊莹%杨香%韩伟华%杨富华
張嚴波%熊瑩%楊香%韓偉華%楊富華
장엄파%웅형%양향%한위화%양부화
纳米线%场效应晶体管%短沟道效应%围栅%自限制氧化
納米線%場效應晶體管%短溝道效應%圍柵%自限製氧化
납미선%장효응정체관%단구도효응%위책%자한제양화
从Si纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展.通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和抑制短沟道效应起着关键作用.针对Si纳米线的制备,介绍了光刻、刻蚀与热氧化等自上而下的方法和气-液-固生长这种自下而上的方法.分析了SiNWFET的电学性能,探讨了为改善电学性能而进行的器件结构和工艺的改进,包括选择沟道取向,采用多条纳米线、应变纳米线或新材料作为沟道以及减小源-漏接触电阻等措施.最后对SiNWFET所面临的挑战和前景作了展望.
從Si納米線場效應晶體管(SiNWFET)的結構原理、Si納米線的製作工藝以及器件電學性能的改善措施三箇方麵介紹瞭SiNWFET的研究進展.通過分析SiNWFET的漏極電壓對溝道電勢的影響,錶明SiNWFET自身的細溝道和圍柵結構對于改善亞閾值特性和抑製短溝道效應起著關鍵作用.針對Si納米線的製備,介紹瞭光刻、刻蝕與熱氧化等自上而下的方法和氣-液-固生長這種自下而上的方法.分析瞭SiNWFET的電學性能,探討瞭為改善電學性能而進行的器件結構和工藝的改進,包括選擇溝道取嚮,採用多條納米線、應變納米線或新材料作為溝道以及減小源-漏接觸電阻等措施.最後對SiNWFET所麵臨的挑戰和前景作瞭展望.
종Si납미선장효응정체관(SiNWFET)적결구원리、Si납미선적제작공예이급기건전학성능적개선조시삼개방면개소료SiNWFET적연구진전.통과분석SiNWFET적루겁전압대구도전세적영향,표명SiNWFET자신적세구도화위책결구대우개선아역치특성화억제단구도효응기착관건작용.침대Si납미선적제비,개소료광각、각식여열양화등자상이하적방법화기-액-고생장저충자하이상적방법.분석료SiNWFET적전학성능,탐토료위개선전학성능이진행적기건결구화공예적개진,포괄선택구도취향,채용다조납미선、응변납미선혹신재료작위구도이급감소원-루접촉전조등조시.최후대SiNWFET소면림적도전화전경작료전망.
