电阻栅结构负阻异质结双极晶体管
전조책결구부조이질결쌍겁정체관
Negative Differential Resistance Heterojunction Bipolar Transistor with Resistive Gate Structure
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 6期 1218-1223 ,共6页

    郭维廉%齐海涛%张世林%钟鸣%梁惠来%毛陆虹%宋瑞良%胡海洋

    곽유렴%제해도%장세림%종명%량혜래%모륙홍%송서량%호해양

    异质结双极晶体管%负阻器件%电阻栅 異質結雙極晶體管%負阻器件%電阻柵
    이질결쌍겁정체관%부조기건%전조책
    设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释;最后对此器件的应用前景进行了预测.
    설계병연제성공료구유전조책결구적n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs부조이질결쌍겁정체관.연제출적기건I-V특성우우상관문헌적보도;득도료항정전압화항정전류량충모식적부조특성곡선;대량충모식부조특성산생적물리궤제진행료해석;최후대차기건적응용전경진행료예측.
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