科学通报
科學通報
과학통보
CHINESE SCIENCE BULLETIN
2005年
6期
588-591
,共4页
碳化硅%薄膜%热辐射
碳化硅%薄膜%熱輻射
탄화규%박막%열복사
计算了不同厚度的碳化硅(SiC)薄膜的吸收率, 发现厚度在几十至100μm、上下表面平行的碳SiC薄膜的热辐射具有良好的干涉性质. 由于SiC独特的光学性质, 薄膜对10 μm的入射波吸收率达到0.98, 接近黑体的吸收率; 而对于10.5至12.4μm波段的热辐射, 又几乎变得不吸收. 计算还表明, SiC薄膜的半球发射率跟温度有关, 在300至500K之间, 半球发射率比较高.
計算瞭不同厚度的碳化硅(SiC)薄膜的吸收率, 髮現厚度在幾十至100μm、上下錶麵平行的碳SiC薄膜的熱輻射具有良好的榦涉性質. 由于SiC獨特的光學性質, 薄膜對10 μm的入射波吸收率達到0.98, 接近黑體的吸收率; 而對于10.5至12.4μm波段的熱輻射, 又幾乎變得不吸收. 計算還錶明, SiC薄膜的半毬髮射率跟溫度有關, 在300至500K之間, 半毬髮射率比較高.
계산료불동후도적탄화규(SiC)박막적흡수솔, 발현후도재궤십지100μm、상하표면평행적탄SiC박막적열복사구유량호적간섭성질. 유우SiC독특적광학성질, 박막대10 μm적입사파흡수솔체도0.98, 접근흑체적흡수솔; 이대우10.5지12.4μm파단적열복사, 우궤호변득불흡수. 계산환표명, SiC박막적반구발사솔근온도유관, 재300지500K지간, 반구발사솔비교고.
