无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2006年
5期
1217-1222
,共6页
卢红亮%徐敏%丁士进%任杰%张卫
盧紅亮%徐敏%丁士進%任傑%張衛
로홍량%서민%정사진%임걸%장위
Al2O3薄膜%原子层淀积(ALD)%X射线光电子能谱(XPS)
Al2O3薄膜%原子層澱積(ALD)%X射線光電子能譜(XPS)
Al2O3박막%원자층정적(ALD)%X사선광전자능보(XPS)
以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究.结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水.退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1.52)比退火前的(1.57)更接近化学计量比的Al2O3.FTIR分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少.此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1.15nm.
以Al(CH3)3和H2O為反應源,在270℃下用原子層澱積(ALD)技術在Si襯底上生長瞭Al2O3薄膜.採用X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、原子力顯微鏡(AFM)和傅立葉變換紅外光譜(FTIR)等分析手段對Al2O3薄膜的熱穩定性進行瞭研究.結果錶明剛澱積的薄膜中含有少量Al-OH基糰,高溫退火後,Al-OH基糰幾乎消失,這歸因于Al-OH基糰之間髮生反應而脫水.退火後的薄膜中O和Al元素的相對比例(1.52)比退火前的(1.57)更接近化學計量比的Al2O3.FTIR分析錶明,在剛澱積的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量會隨熱處理溫度的升高而減少.此外,在高溫快速熱退火後,Al2O3薄膜的錶麵平均粗糙度(RMS)明顯改善,900℃熱退火後其RMS達到1.15nm.
이Al(CH3)3화H2O위반응원,재270℃하용원자층정적(ALD)기술재Si츤저상생장료Al2O3박막.채용X사선연사(XRD)、X사선광전자능보(XPS)、원자력현미경(AFM)화부립협변환홍외광보(FTIR)등분석수단대Al2O3박막적열은정성진행료연구.결과표명강정적적박막중함유소량Al-OH기단,고온퇴화후,Al-OH기단궤호소실,저귀인우Al-OH기단지간발생반응이탈수.퇴화후적박막중O화Al원소적상대비례(1.52)비퇴화전적(1.57)경접근화학계량비적Al2O3.FTIR분석표명,재강정적적Al2O3중유소량적-CH3존재,-CH3함량회수열처리온도적승고이감소.차외,재고온쾌속열퇴화후,Al2O3박막적표면평균조조도(RMS)명현개선,900℃열퇴화후기RMS체도1.15nm.
