半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
5期
378-381
,共4页
任韬%翁妍%徐洁晶%汪辉
任韜%翁妍%徐潔晶%汪輝
임도%옹연%서길정%왕휘
铜互连%电流拥挤%电迁移%质量输运%有限元分析
銅互連%電流擁擠%電遷移%質量輸運%有限元分析
동호련%전류옹제%전천이%질량수운%유한원분석
提出了一种新的测试结构(S结构),通过实验、理论推导和有限元分析,研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性的影响.实验和有限元分析表明,铜互连线内由于电流拥挤效应的存在,在用户温度下沿特定通道输运的局部原子通量显著增大,而焦耳热所产生的温度梯度对原子通量和通量散度增大的影响则相对有限.
提齣瞭一種新的測試結構(S結構),通過實驗、理論推導和有限元分析,研究瞭銅與TaN擴散阻擋層界麵的電流擁擠效應對電遷移緻質量輸運特性的影響.實驗和有限元分析錶明,銅互連線內由于電流擁擠效應的存在,在用戶溫度下沿特定通道輸運的跼部原子通量顯著增大,而焦耳熱所產生的溫度梯度對原子通量和通量散度增大的影響則相對有限.
제출료일충신적측시결구(S결구),통과실험、이론추도화유한원분석,연구료동여TaN확산조당층계면적전류옹제효응대전천이치질량수운특성적영향.실험화유한원분석표명,동호련선내유우전류옹제효응적존재,재용호온도하연특정통도수운적국부원자통량현저증대,이초이열소산생적온도제도대원자통량화통량산도증대적영향칙상대유한.
