材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2008年
10期
278-282,286
,共6页
杨扬%田景华%罗仲梓%吴孙桃%田中群
楊颺%田景華%囉仲梓%吳孫桃%田中群
양양%전경화%라중재%오손도%전중군
分子电子学%机械可控裂结法%单分子电导%牺牲层%微加工
分子電子學%機械可控裂結法%單分子電導%犧牲層%微加工
분자전자학%궤계가공렬결법%단분자전도%희생층%미가공
将普通光刻技术和电化学技术相结合,在微芯片上制备得到了机械可控断裂结法(MCBJ)所需的悬空纳米间隔金属电极对,并分别用热氧化二氧化硅和聚酰亚胺(PI)作为牺牲层使得电极对悬空,明显提高了可控断裂的实验成功率,并延长了微芯片使用寿命.利用分子自组装和MCBJ方法成功构筑了金属/分子/金属结,并实施了对巯基苯胺(BDT)单分子的电学性质测量,得到了BDF的电导值和I-V特性曲线.
將普通光刻技術和電化學技術相結閤,在微芯片上製備得到瞭機械可控斷裂結法(MCBJ)所需的懸空納米間隔金屬電極對,併分彆用熱氧化二氧化硅和聚酰亞胺(PI)作為犧牲層使得電極對懸空,明顯提高瞭可控斷裂的實驗成功率,併延長瞭微芯片使用壽命.利用分子自組裝和MCBJ方法成功構築瞭金屬/分子/金屬結,併實施瞭對巰基苯胺(BDT)單分子的電學性質測量,得到瞭BDF的電導值和I-V特性麯線.
장보통광각기술화전화학기술상결합,재미심편상제비득도료궤계가공단렬결법(MCBJ)소수적현공납미간격금속전겁대,병분별용열양화이양화규화취선아알(PI)작위희생층사득전겁대현공,명현제고료가공단렬적실험성공솔,병연장료미심편사용수명.이용분자자조장화MCBJ방법성공구축료금속/분자/금속결,병실시료대구기분알(BDT)단분자적전학성질측량,득도료BDF적전도치화I-V특성곡선.
