中国腐蚀与防护学报
中國腐蝕與防護學報
중국부식여방호학보
JOURNAL OF CHINESE SOCIETY FOR CORROSION AND PROTECTION
2009年
3期
220-224
,共5页
徐以兵%何德良%周舟%钟建芳%许超%崔正丹%曾丽萍
徐以兵%何德良%週舟%鐘建芳%許超%崔正丹%曾麗萍
서이병%하덕량%주주%종건방%허초%최정단%증려평
铝合金%硅烷膜%低电位%表面活性剂%双-1,2-[γ(三乙氧基)硅丙基]四硫化物
鋁閤金%硅烷膜%低電位%錶麵活性劑%雙-1,2-[γ(三乙氧基)硅丙基]四硫化物
려합금%규완막%저전위%표면활성제%쌍-1,2-[γ(삼을양기)규병기]사류화물
在低阴极沉积电位条件下,使用表面活性剂改性硅烷溶液,实现了双-1,2-[γ(三乙氧基)硅丙基]四硫化物(BTSPS)在铝合金电极表面的电化学沉积,新的临界沉积电位(NCCP)约为-1.6 V.研究表明,在低阴极沉积电位下铝合金表面能得到更厚、更致密的硅烷膜层,并且在改性后溶液中制备的膜层具有较高的极化阻力.表面活性剂的加入可以降低沉积时析氢的影响,提高硅烷沉积性能.临界沉积电位的降低,使得硅烷覆盖的铝合金电极比临界沉积电位(-0.8 V)下的电极具有更好的抗腐蚀性能.
在低陰極沉積電位條件下,使用錶麵活性劑改性硅烷溶液,實現瞭雙-1,2-[γ(三乙氧基)硅丙基]四硫化物(BTSPS)在鋁閤金電極錶麵的電化學沉積,新的臨界沉積電位(NCCP)約為-1.6 V.研究錶明,在低陰極沉積電位下鋁閤金錶麵能得到更厚、更緻密的硅烷膜層,併且在改性後溶液中製備的膜層具有較高的極化阻力.錶麵活性劑的加入可以降低沉積時析氫的影響,提高硅烷沉積性能.臨界沉積電位的降低,使得硅烷覆蓋的鋁閤金電極比臨界沉積電位(-0.8 V)下的電極具有更好的抗腐蝕性能.
재저음겁침적전위조건하,사용표면활성제개성규완용액,실현료쌍-1,2-[γ(삼을양기)규병기]사류화물(BTSPS)재려합금전겁표면적전화학침적,신적림계침적전위(NCCP)약위-1.6 V.연구표명,재저음겁침적전위하려합금표면능득도경후、경치밀적규완막층,병차재개성후용액중제비적막층구유교고적겁화조력.표면활성제적가입가이강저침적시석경적영향,제고규완침적성능.림계침적전위적강저,사득규완복개적려합금전겁비림계침적전위(-0.8 V)하적전겁구유경호적항부식성능.
