陶瓷学报
陶瓷學報
도자학보
JOURNAL OF CERAMICS
2010年
3期
408-411
,共4页
有机发光器件%Alq3%沉积速率%LiF
有機髮光器件%Alq3%沉積速率%LiF
유궤발광기건%Alq3%침적속솔%LiF
采用真空蒸发镀膜的方法制备了ITO/TPD(30nm)/Alq3(40nm)/LiF/Al结构的有机发光器件,讨论了Alq3的沉积速率和缓冲层LiF的厚度对器件光电性能的影响.结果表明:Alq3膜的沉积速率为0.2nm/s时所形成的器件光电性能最好,启亮电压为10V,最大发光效率为2.58cd/A;不同厚度LiF层的注入,使器件的光电性能有了不同程度的改善,LiF层厚度为2nm时效果最佳,启亮电压降至7V,亮度提高了1345cd/m2,最大发光效率达4.4cd/A.
採用真空蒸髮鍍膜的方法製備瞭ITO/TPD(30nm)/Alq3(40nm)/LiF/Al結構的有機髮光器件,討論瞭Alq3的沉積速率和緩遲層LiF的厚度對器件光電性能的影響.結果錶明:Alq3膜的沉積速率為0.2nm/s時所形成的器件光電性能最好,啟亮電壓為10V,最大髮光效率為2.58cd/A;不同厚度LiF層的註入,使器件的光電性能有瞭不同程度的改善,LiF層厚度為2nm時效果最佳,啟亮電壓降至7V,亮度提高瞭1345cd/m2,最大髮光效率達4.4cd/A.
채용진공증발도막적방법제비료ITO/TPD(30nm)/Alq3(40nm)/LiF/Al결구적유궤발광기건,토론료Alq3적침적속솔화완충층LiF적후도대기건광전성능적영향.결과표명:Alq3막적침적속솔위0.2nm/s시소형성적기건광전성능최호,계량전압위10V,최대발광효솔위2.58cd/A;불동후도LiF층적주입,사기건적광전성능유료불동정도적개선,LiF층후도위2nm시효과최가,계량전압강지7V,량도제고료1345cd/m2,최대발광효솔체4.4cd/A.
