真空
真空
진공
VACUUM
2011年
1期
82-84
,共3页
何浩%贺业全%杨再荣%罗子江%周勋%丁召
何浩%賀業全%楊再榮%囉子江%週勛%丁召
하호%하업전%양재영%라자강%주훈%정소
MBE%RHEED%InAs/GaAs%InGaAs/GaAs%自组装%退火
MBE%RHEED%InAs/GaAs%InGaAs/GaAs%自組裝%退火
MBE%RHEED%InAs/GaAs%InGaAs/GaAs%자조장%퇴화
本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率.对生长的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs两种量子点生长过程与退火情况进行对比,观察到当RHEED衍射图像由条纹状变为网格斑点时,InAs所需要的时间远小于InGaAs;高温退火下RHEED衍射图像恢复到条纹状所需要的时间InAs比InGaAs要长.
本文採用MBE進行InAs/GaAs與InGaAs/GaAs量子點的生長,利用RHEED進行實時鑑測,併利用RHEED彊度振盪測量生長速率.對生長的InAs/GaAs和InGaAs/GaAs兩種量子點生長過程與退火情況進行對比,觀察到噹RHEED衍射圖像由條紋狀變為網格斑點時,InAs所需要的時間遠小于InGaAs;高溫退火下RHEED衍射圖像恢複到條紋狀所需要的時間InAs比InGaAs要長.
본문채용MBE진행InAs/GaAs여InGaAs/GaAs양자점적생장,이용RHEED진행실시감측,병이용RHEED강도진탕측량생장속솔.대생장적InAs/GaAs화InGaAs/GaAs량충양자점생장과정여퇴화정황진행대비,관찰도당RHEED연사도상유조문상변위망격반점시,InAs소수요적시간원소우InGaAs;고온퇴화하RHEED연사도상회복도조문상소수요적시간InAs비InGaAs요장.
