微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2005年
1期
37-39
,共3页
宋哲%王莉%陆剑侠%许仲德
宋哲%王莉%陸劍俠%許仲德
송철%왕리%륙검협%허중덕
SEU模%拟%SOI%抗辐射
SEU模%擬%SOI%抗輻射
SEU모%의%SOI%항복사
本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍.运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single-Event Upset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材料有良好的抗辐射加固特性,体现出SOI材料的优越性.
本文闡述瞭單粒子效應原理和損傷機理,對MEDICI軟件進行瞭簡要介紹.運用MEDICI軟件分彆對體硅和SOI(Silicon-On-Insulator)襯底材料進行CMOS SRAM的SEU(Single-Event Upset)模擬實驗,得齣實驗結果,併對實驗結果進行分析,證明瞭SOI材料有良好的抗輻射加固特性,體現齣SOI材料的優越性.
본문천술료단입자효응원리화손상궤리,대MEDICI연건진행료간요개소.운용MEDICI연건분별대체규화SOI(Silicon-On-Insulator)츤저재료진행CMOS SRAM적SEU(Single-Event Upset)모의실험,득출실험결과,병대실험결과진행분석,증명료SOI재료유량호적항복사가고특성,체현출SOI재료적우월성.
