半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2005年
9期
20-23
,共4页
高纯试剂%半导体%清洗工艺
高純試劑%半導體%清洗工藝
고순시제%반도체%청세공예
通过对新型超净高纯试剂同常规CMOS酸碱试剂同时进行CMOS工艺中栅氧化前的清洗实验,从清洗后硅片残留金属量的电感耦合高频等离子体原子发射光谱分析、硅片表面形貌的AFM分析和MOS电容测量三个方面进行了应用实验.结果表明,以超净高纯乙腈为主要组分的新型试剂,其清洗效果总体优于常规CMOS酸碱试剂,可以考虑在半导体器件相应清洗工艺中采用.
通過對新型超淨高純試劑同常規CMOS痠堿試劑同時進行CMOS工藝中柵氧化前的清洗實驗,從清洗後硅片殘留金屬量的電感耦閤高頻等離子體原子髮射光譜分析、硅片錶麵形貌的AFM分析和MOS電容測量三箇方麵進行瞭應用實驗.結果錶明,以超淨高純乙腈為主要組分的新型試劑,其清洗效果總體優于常規CMOS痠堿試劑,可以攷慮在半導體器件相應清洗工藝中採用.
통과대신형초정고순시제동상규CMOS산감시제동시진행CMOS공예중책양화전적청세실험,종청세후규편잔류금속량적전감우합고빈등리자체원자발사광보분석、규편표면형모적AFM분석화MOS전용측량삼개방면진행료응용실험.결과표명,이초정고순을정위주요조분적신형시제,기청세효과총체우우상규CMOS산감시제,가이고필재반도체기건상응청세공예중채용.
