半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
7期
1063-1068
,共6页
路飞平%彭应全%宋长安%邢宏伟%李训栓%杨青森
路飛平%彭應全%宋長安%邢宏偉%李訓栓%楊青森
로비평%팽응전%송장안%형굉위%리훈전%양청삼
八羟基喹啉镉%薄膜%折射率%消光系数
八羥基喹啉鎘%薄膜%摺射率%消光繫數
팔간기규람력%박막%절사솔%소광계수
用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围.
用真空蒸鍍方法,在玻璃襯底上製備瞭襯底溫度不同的八羥基喹啉鎘薄膜.XRD分析錶明,八羥基喹啉鎘薄膜呈多晶態,且襯底溫度越高,衍射峰越彊,薄膜的結晶性能逐漸變好,結晶晶粒呎度也越大.AFM研究錶明,襯底溫度升高,薄膜錶麵形貌越均勻有序,質量變好.MM-16相調製型橢圓偏振光譜儀研究髮現,襯底溫度升高導緻反蒸髮增彊,薄膜生長速率減小,隨著入射光波長的增加,薄膜的摺射率和消光繫數逐漸減小.隨著襯底溫度升高,因薄膜晶粒呎度增大,摺射率和消光繫數也增大;併給齣瞭它們的變化範圍.
용진공증도방법,재파리츤저상제비료츤저온도불동적팔간기규람력박막.XRD분석표명,팔간기규람력박막정다정태,차츤저온도월고,연사봉월강,박막적결정성능축점변호,결정정립척도야월대.AFM연구표명,츤저온도승고,박막표면형모월균균유서,질량변호.MM-16상조제형타원편진광보의연구발현,츤저온도승고도치반증발증강,박막생장속솔감소,수착입사광파장적증가,박막적절사솔화소광계수축점감소.수착츤저온도승고,인박막정립척도증대,절사솔화소광계수야증대;병급출료타문적변화범위.
