物理学报
物理學報
물이학보
2007年
9期
5446-5451
,共6页
郑中山%张恩霞%刘忠立%张正选%李宁%李国花
鄭中山%張恩霞%劉忠立%張正選%李寧%李國花
정중산%장은하%류충립%장정선%리저%리국화
SIMOX%埋氧%注氮%固定正电荷密度
SIMOX%埋氧%註氮%固定正電荷密度
SIMOX%매양%주담%고정정전하밀도
在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150 nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为375 nm的SIMOX SOI材料来说,当注氮剂量分别为2×1015cm-2和3×1015cm-2时,并未发现埋氧中固定正电荷密度的增加.所有SIMOX注氮后的退火条件是完全相同的.通过SIMS分析,将薄埋氧中固定正电荷密度的增加归结为注氮后的退火所引起的氮在埋氧与Si界面附近的积累.同时还发现,未注氮埋氧中的固定正电荷密度是非常小的.这意味着通常情况下在热生长SiO2膜中大量存在的氧化物电荷,其数量在SIMOX埋氧中则要相对少得多.
在SIMOX SOI材料的埋氧中註氮是為瞭增彊該類材料的抗輻射能力.通過C-V研究錶明,對于埋氧層為150 nm的SIMOX SOI材料來說,噹在其埋氧中註入4×1015cm-2劑量的氮後,與未註氮埋氧相比,註氮埋氧中的固定正電荷密度顯著增加瞭;而對于埋氧層為375 nm的SIMOX SOI材料來說,噹註氮劑量分彆為2×1015cm-2和3×1015cm-2時,併未髮現埋氧中固定正電荷密度的增加.所有SIMOX註氮後的退火條件是完全相同的.通過SIMS分析,將薄埋氧中固定正電荷密度的增加歸結為註氮後的退火所引起的氮在埋氧與Si界麵附近的積纍.同時還髮現,未註氮埋氧中的固定正電荷密度是非常小的.這意味著通常情況下在熱生長SiO2膜中大量存在的氧化物電荷,其數量在SIMOX埋氧中則要相對少得多.
재SIMOX SOI재료적매양중주담시위료증강해류재료적항복사능력.통과C-V연구표명,대우매양층위150 nm적SIMOX SOI재료래설,당재기매양중주입4×1015cm-2제량적담후,여미주담매양상비,주담매양중적고정정전하밀도현저증가료;이대우매양층위375 nm적SIMOX SOI재료래설,당주담제량분별위2×1015cm-2화3×1015cm-2시,병미발현매양중고정정전하밀도적증가.소유SIMOX주담후적퇴화조건시완전상동적.통과SIMS분석,장박매양중고정정전하밀도적증가귀결위주담후적퇴화소인기적담재매양여Si계면부근적적루.동시환발현,미주담매양중적고정정전하밀도시비상소적.저의미착통상정황하재열생장SiO2막중대량존재적양화물전하,기수량재SIMOX매양중칙요상대소득다.
