太阳能级Si片清洗工艺分析
태양능급Si편청세공예분석
Analysis of Solar-Grade Silicon Wafer Cleaning Process
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2010年 4期 309-312 ,共4页

    任丽%王平%李艳玲%王安平%褚世君%张兵%李宁%罗晓英

    임려%왕평%리염령%왕안평%저세군%장병%리저%라효영

    硅片%碱性清洗%表面活性剂%超声清洗%对太阳能级 硅片%堿性清洗%錶麵活性劑%超聲清洗%對太暘能級
    규편%감성청세%표면활성제%초성청세%대태양능급
    在实验基础上对太阳能级Si片碱性清洗工艺进行了分析,指出碱性清洗液在适宜的工艺环境下,配合超声清洗和表面活性剂的使用可以获得良好的清洗效果.结果表明,表面金属浓度分别达到Cu元素小于1.3×1014atoms/cm2,Fe元素小于5×1013 atoms/cm2.碱性清洗液与Si晶体发生两步化学反应,平衡后OH-离子浓度保持稳定,是以获得稳定的清洗效果同时提高清洗液的使用效率.
    재실험기출상대태양능급Si편감성청세공예진행료분석,지출감성청세액재괄의적공예배경하,배합초성청세화표면활성제적사용가이획득량호적청세효과.결과표명,표면금속농도분별체도Cu원소소우1.3×1014atoms/cm2,Fe원소소우5×1013 atoms/cm2.감성청세액여Si정체발생량보화학반응,평형후OH-리자농도보지은정,시이획득은정적청세효과동시제고청세액적사용효솔.
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