稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2010年
z1期
289-292
,共4页
魏雄邦%蒋亚东%吴志明%廖家轩%贾宇明%田忠
魏雄邦%蔣亞東%吳誌明%廖傢軒%賈宇明%田忠
위웅방%장아동%오지명%료가헌%가우명%전충
二氧化钒膜%膜厚%直流磁控溅射
二氧化釩膜%膜厚%直流磁控濺射
이양화범막%막후%직류자공천사
采用直流反应磁控溅射法,在Si(100)基片表面沉积厚度为1000 nm的二氧化钒膜.利用X射线衍射(XRD)仪和扫描电镜(SEM)分析膜的晶相和形貌,观察到二氧化钒膜的一种新的生长模式.X射线衍射分析表明生成的膜为典型的多晶二氧化钒膜,其(200)晶面衍射峰较强.扫描电镜(SEM)分析表明,随着膜厚的增加,膜表面晶粒增大,膜表面的晶粒呈现出独特的"纺锤"状或"棒"状;膜具有明显的 "柱"状生长特征,在膜厚380 nm以上时,"柱状"晶生长速率快速提高.样品的阻温特性分析表明,生成的二氧化钒膜具有典型的金属-半导体相变特征.
採用直流反應磁控濺射法,在Si(100)基片錶麵沉積厚度為1000 nm的二氧化釩膜.利用X射線衍射(XRD)儀和掃描電鏡(SEM)分析膜的晶相和形貌,觀察到二氧化釩膜的一種新的生長模式.X射線衍射分析錶明生成的膜為典型的多晶二氧化釩膜,其(200)晶麵衍射峰較彊.掃描電鏡(SEM)分析錶明,隨著膜厚的增加,膜錶麵晶粒增大,膜錶麵的晶粒呈現齣獨特的"紡錘"狀或"棒"狀;膜具有明顯的 "柱"狀生長特徵,在膜厚380 nm以上時,"柱狀"晶生長速率快速提高.樣品的阻溫特性分析錶明,生成的二氧化釩膜具有典型的金屬-半導體相變特徵.
채용직류반응자공천사법,재Si(100)기편표면침적후도위1000 nm적이양화범막.이용X사선연사(XRD)의화소묘전경(SEM)분석막적정상화형모,관찰도이양화범막적일충신적생장모식.X사선연사분석표명생성적막위전형적다정이양화범막,기(200)정면연사봉교강.소묘전경(SEM)분석표명,수착막후적증가,막표면정립증대,막표면적정립정현출독특적"방추"상혹"봉"상;막구유명현적 "주"상생장특정,재막후380 nm이상시,"주상"정생장속솔쾌속제고.양품적조온특성분석표명,생성적이양화범막구유전형적금속-반도체상변특정.
