真空
真空
진공
VACUUM
2010年
4期
46-50
,共5页
郭杏元%许生%曾鹏举%谭晓华%严松涛%范垂祯
郭杏元%許生%曾鵬舉%譚曉華%嚴鬆濤%範垂禎
곽행원%허생%증붕거%담효화%엄송도%범수정
薄膜太阳能电池%大面积镀膜%掺铝氧化锌%磁控溅射
薄膜太暘能電池%大麵積鍍膜%摻鋁氧化鋅%磁控濺射
박막태양능전지%대면적도막%참려양화자%자공천사
采用直流磁控溅射工艺于200℃的玻璃基板制备了大面积AZO透明导电薄膜.重点研究了样品晶体结构、方阻、可见光透过率、样品形貌等随其位置变化的情况.研究表明,大面积AZO薄膜的晶体结构、可见光透过率、样品形貌等随样品位置变化比较小,大面积AZO样品均按C轴取向生长,表面平整,晶粒尺寸为20 nm左右.在本实验条件下获得的大面积AZO薄膜方阻在86～110 Ω/□范围内,方阻线性变动率为28%,样品电阻率为6.34～7.26×10-4 Ω·cm,可见光平均透过率均高于87%.
採用直流磁控濺射工藝于200℃的玻璃基闆製備瞭大麵積AZO透明導電薄膜.重點研究瞭樣品晶體結構、方阻、可見光透過率、樣品形貌等隨其位置變化的情況.研究錶明,大麵積AZO薄膜的晶體結構、可見光透過率、樣品形貌等隨樣品位置變化比較小,大麵積AZO樣品均按C軸取嚮生長,錶麵平整,晶粒呎吋為20 nm左右.在本實驗條件下穫得的大麵積AZO薄膜方阻在86～110 Ω/□範圍內,方阻線性變動率為28%,樣品電阻率為6.34～7.26×10-4 Ω·cm,可見光平均透過率均高于87%.
채용직류자공천사공예우200℃적파리기판제비료대면적AZO투명도전박막.중점연구료양품정체결구、방조、가견광투과솔、양품형모등수기위치변화적정황.연구표명,대면적AZO박막적정체결구、가견광투과솔、양품형모등수양품위치변화비교소,대면적AZO양품균안C축취향생장,표면평정,정립척촌위20 nm좌우.재본실험조건하획득적대면적AZO박막방조재86～110 Ω/□범위내,방조선성변동솔위28%,양품전조솔위6.34～7.26×10-4 Ω·cm,가견광평균투과솔균고우87%.
