压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2004年
6期
471-473,487
,共4页
五氧化二钒%真空蒸发%退火%VOx薄膜%基片温度%电阻温度系数
五氧化二釩%真空蒸髮%退火%VOx薄膜%基片溫度%電阻溫度繫數
오양화이범%진공증발%퇴화%VOx박막%기편온도%전조온도계수
以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜,调节不同的基片温度获得几组薄膜.运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异.在基片温度为200 °C时所得薄膜的电阻温度系数(TCR)达到-0.03/°C,并发现基片温度越高,薄膜在室温附近的电阻率越低,电阻温度系数绝对值也越小.
以V2O5粉末為原料採用真空蒸髮法結閤真空退火還原法在玻璃基片上製備VOx薄膜,調節不同的基片溫度穫得幾組薄膜.運用X-射線衍射(XRD)分析和掃描電子顯微鏡(SEM)分析髮現隨著基片溫度的不同,薄膜成分、物相以及錶麵形貌有明顯差異.在基片溫度為200 °C時所得薄膜的電阻溫度繫數(TCR)達到-0.03/°C,併髮現基片溫度越高,薄膜在室溫附近的電阻率越低,電阻溫度繫數絕對值也越小.
이V2O5분말위원료채용진공증발법결합진공퇴화환원법재파리기편상제비VOx박막,조절불동적기편온도획득궤조박막.운용X-사선연사(XRD)분석화소묘전자현미경(SEM)분석발현수착기편온도적불동,박막성분、물상이급표면형모유명현차이.재기편온도위200 °C시소득박막적전조온도계수(TCR)체도-0.03/°C,병발현기편온도월고,박막재실온부근적전조솔월저,전조온도계수절대치야월소.
