物理学报
物理學報
물이학보
2007年
4期
2393-2398
,共6页
魏群%杨子元%王参军%许启明
魏群%楊子元%王參軍%許啟明
위군%양자원%왕삼군%허계명
Al2O3:V3+晶体%局域结构%自旋哈密顿参量%磁相互作用
Al2O3:V3+晶體%跼域結構%自鏇哈密頓參量%磁相互作用
Al2O3:V3+정체%국역결구%자선합밀돈삼량%자상호작용
提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型,建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自旋、自旋与另一电子轨道和轨道与轨道作用等微小磁相互作用的基础上,采用全组态完全对角化方法,对Al2O3晶体中V3+的局域结构和自旋哈密顿参量进行了系统的研究.结果表明,V3+掺入Al2O3晶体后,上下配体氧平面间距离增大了0.0060 nm.从而成功地解释了Al2O3:V3+晶体的自旋哈密顿参量.在此基础上,研究了三角晶场下3d2离子自旋哈密顿参量的微观起源.研究发现,自旋三重态对自旋哈密顿参量的贡献是主要的,微小磁相互作用对自旋哈密顿参量的贡献只与自旋三重态有关.
提齣瞭解釋摻雜離子跼域結構畸變的配體平麵移動模型,建立瞭此模型下晶體微觀結構與自鏇哈密頓參量之間的定量關繫.在攷慮自鏇與自鏇、自鏇與另一電子軌道和軌道與軌道作用等微小磁相互作用的基礎上,採用全組態完全對角化方法,對Al2O3晶體中V3+的跼域結構和自鏇哈密頓參量進行瞭繫統的研究.結果錶明,V3+摻入Al2O3晶體後,上下配體氧平麵間距離增大瞭0.0060 nm.從而成功地解釋瞭Al2O3:V3+晶體的自鏇哈密頓參量.在此基礎上,研究瞭三角晶場下3d2離子自鏇哈密頓參量的微觀起源.研究髮現,自鏇三重態對自鏇哈密頓參量的貢獻是主要的,微小磁相互作用對自鏇哈密頓參量的貢獻隻與自鏇三重態有關.
제출료해석참잡리자국역결구기변적배체평면이동모형,건립료차모형하정체미관결구여자선합밀돈삼량지간적정량관계.재고필자선여자선、자선여령일전자궤도화궤도여궤도작용등미소자상호작용적기출상,채용전조태완전대각화방법,대Al2O3정체중V3+적국역결구화자선합밀돈삼량진행료계통적연구.결과표명,V3+참입Al2O3정체후,상하배체양평면간거리증대료0.0060 nm.종이성공지해석료Al2O3:V3+정체적자선합밀돈삼량.재차기출상,연구료삼각정장하3d2리자자선합밀돈삼량적미관기원.연구발현,자선삼중태대자선합밀돈삼량적공헌시주요적,미소자상호작용대자선합밀돈삼량적공헌지여자선삼중태유관.
