物理学报
物理學報
물이학보
2008年
3期
1886-1890
,共5页
Al2O3%ALD%GaN%MOSHEMT
Al2O3%ALD%GaN%MOSHEMT
Al2O3%ALD%GaN%MOSHEMT
在研制AlGaN/GaN HEMT器件的基础上,采用ALD法制备了Al2O3 AlGaN/GaN MOSHEMT器件.通过X射线光电子能谱测试表明在AlGaN/GaN异质结材料上成功淀积了Al2O3薄膜.根据对HEMT和MOSHEMT器件肖特基电容、器件输出以及转移特性的测试进行分析发现:所制备的Al2O3,薄膜与AlGaN外延层间界面态密度较小,因而MOSHEMT器件呈现出较好的栅控性能;其次,该器件的栅压可以加至+3 V,此时的最大饱和电流达到800 mA/mm,远远高于肖特基栅HEMT器件的最大输出电流;而且栅漏反偏状态下的泄漏电流却减小了两个数量级,提高了器件的击穿电压,通过进一步分析认为泄漏电流主要来源于Fowler-Nordheim隧穿.
在研製AlGaN/GaN HEMT器件的基礎上,採用ALD法製備瞭Al2O3 AlGaN/GaN MOSHEMT器件.通過X射線光電子能譜測試錶明在AlGaN/GaN異質結材料上成功澱積瞭Al2O3薄膜.根據對HEMT和MOSHEMT器件肖特基電容、器件輸齣以及轉移特性的測試進行分析髮現:所製備的Al2O3,薄膜與AlGaN外延層間界麵態密度較小,因而MOSHEMT器件呈現齣較好的柵控性能;其次,該器件的柵壓可以加至+3 V,此時的最大飽和電流達到800 mA/mm,遠遠高于肖特基柵HEMT器件的最大輸齣電流;而且柵漏反偏狀態下的洩漏電流卻減小瞭兩箇數量級,提高瞭器件的擊穿電壓,通過進一步分析認為洩漏電流主要來源于Fowler-Nordheim隧穿.
재연제AlGaN/GaN HEMT기건적기출상,채용ALD법제비료Al2O3 AlGaN/GaN MOSHEMT기건.통과X사선광전자능보측시표명재AlGaN/GaN이질결재료상성공정적료Al2O3박막.근거대HEMT화MOSHEMT기건초특기전용、기건수출이급전이특성적측시진행분석발현:소제비적Al2O3,박막여AlGaN외연층간계면태밀도교소,인이MOSHEMT기건정현출교호적책공성능;기차,해기건적책압가이가지+3 V,차시적최대포화전류체도800 mA/mm,원원고우초특기책HEMT기건적최대수출전류;이차책루반편상태하적설루전류각감소료량개수량급,제고료기건적격천전압,통과진일보분석인위설루전류주요래원우Fowler-Nordheim수천.
